2nm及以下先進半導(dǎo)體的制造環(huán)境是什么。產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所 先端半導(dǎo)體研究中心 中心主任 昌原明植博士訪談
制造線的高精度化越來越受到強烈要求,探索新的制造裝置
日本終于開始重視半導(dǎo)體的環(huán)境。2022年8月,Rapidus公司成立,計劃在北海道千歲市建設(shè)2nm工藝節(jié)點的量產(chǎn)工廠。為了開發(fā)2nm技術(shù),技術(shù)研究組合LSTC(最先進半導(dǎo)體技術(shù)中心)也成立了。國立研究開發(fā)法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所也在2023年10月1日成立了先端半導(dǎo)體研究中心,作為制造2nm工藝節(jié)點半導(dǎo)體的研究部門。
半導(dǎo)體作為與計算機、通信并列的IT三大要素之一,正在全球范圍內(nèi)被認可。產(chǎn)總研開始行動,希望日本的半導(dǎo)體能夠再次與世界頂級水平并駕齊驅(qū)。我們采訪了產(chǎn)總研先端半導(dǎo)體研究中心中心主任昌原明植氏,了解未來半導(dǎo)體、制造技術(shù)及裝置驅(qū)動產(chǎn)品所需的要求。
產(chǎn)總研為何設(shè)立先端半導(dǎo)體研究中心
先端半導(dǎo)體研究中心的定位是建立2nm工藝節(jié)點及以下的試點生產(chǎn)線,并將其提供給產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界等。為了構(gòu)建這個基礎(chǔ),該中心成立了。昌原氏在此之前擔任產(chǎn)總研設(shè)備技術(shù)研究部門的部門長,于2023年10月1日成為先端半導(dǎo)體研究中心的主任。
回顧成立的經(jīng)緯,從Rapidus公司2022年8月成立前的討論開始。目前日本半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域僅限于汽車產(chǎn)業(yè)等,不再像過去那樣有電視或VTR等巨大需求。在半導(dǎo)體世界中,日本的制造設(shè)備制造商和材料制造商在全球范圍內(nèi)都很強大,海外銷售比例很高。人們擔心制造技術(shù)會流向海外。因此,東京電子與SCREEN、佳能和產(chǎn)總研聯(lián)手,推進了一個項目,在產(chǎn)總研超級清潔室內(nèi)部建立能夠試制最先進三維邏輯器件的試點生產(chǎn)線。
迄今為止,這個超級清潔室由產(chǎn)總研的TIA(筑波創(chuàng)新競技場)推進中心管理。因此,產(chǎn)總研的設(shè)備技術(shù)研究部門是在得到容許使用清潔室的情況下。這次,負責運營和利用超級清潔室進行研究開發(fā)的先端半導(dǎo)體研究中心成立,該中心成為主體,負責在超級清潔室內(nèi)部構(gòu)建2nm及以下工藝節(jié)點的設(shè)備試制試點生產(chǎn)線。
LSTC的角色分擔如何進行
目前,Rapidus公司正專注于2nm工藝的生產(chǎn)。在2nm之后,即2nm及以下(超越2nm)的半導(dǎo)體設(shè)備研究開發(fā),技術(shù)研究組合LSTC(最先進半導(dǎo)體技術(shù)中心)作為一個研究開發(fā)組織應(yīng)運而生。Rapidus公司是LSTC的成員之一。LSTC負責制定2nm及以下先進半導(dǎo)體設(shè)計、制造所需的研究開發(fā)主題,并致力于創(chuàng)造新的使用案例。
LSTC不僅涉及設(shè)備設(shè)計,還包括材料開發(fā)和裝置、元件的開發(fā)。產(chǎn)總研的設(shè)備技術(shù)研究部門也參與了LSTC,昌原氏同時兼任LSTC的技術(shù)管理部長。也就是說,產(chǎn)總研的先端半導(dǎo)體研究中心也承擔著LSTC的實際作戰(zhàn)部隊的角色。
先端半導(dǎo)體研究中心計劃在Rapidus公司開始量產(chǎn)2nm及以下設(shè)備之前,進行設(shè)備的試制,找出各種問題點,篩選后,將設(shè)備移交給正在構(gòu)建量產(chǎn)線的Rapidus公司。
下一代半導(dǎo)體將用于何處
為了訓(xùn)練像生成AI這樣的大規(guī)模軟件,計算能力的需求將變得非常巨大,因此需要超高性能的半導(dǎo)體。此外,IoT傳感器和汽車ECU中也將使用AI,對AI處理的需求將增加。
昌原氏提到:“如果舉兩個應(yīng)用案例,一個是利用機器人的遠程現(xiàn)實工作。在工廠或辦公室等現(xiàn)場工作的機器人將能夠通過遠程操作。除了機器人眼睛位置的攝像頭外,還需要配備其他攝像頭的自由視角圖像實時輸出。這并不簡單,但它可以作為應(yīng)對勞動力不足的應(yīng)用?!?
2nm及以下將盡可能多地使用GAA結(jié)構(gòu)的FET
在2nm工藝節(jié)點上,將使用GAA(全環(huán)繞柵極)結(jié)構(gòu)的晶體管。昌原氏表示:“我們希望能盡可能延長GAA的使用壽命。在2nm到1.4nm的節(jié)點上,可能最終會轉(zhuǎn)向疊加了n通道MOS晶體管和p通道晶體管的CFET?!?
昌原氏的預(yù)測如下:“這樣一來,制造設(shè)備可能不會僅僅是通過現(xiàn)有技術(shù)的延伸來進行升級。例如,可能會有新的技術(shù)出現(xiàn),比如改變晶體的生長方向或添加雜質(zhì)等。因此,我們可能需要提高精度和清潔能力,同時保持生產(chǎn)效率?!?
術(shù)語解釋
- 外延生長技術(shù):原子在規(guī)則排列的晶體表面上垂直方向規(guī)則正確地生長
- 摻雜劑:在半導(dǎo)體晶體中,為了使其成為n型,會添加五價的As(砷)或P(磷)雜質(zhì),但添加的雜質(zhì)稱為摻雜劑
- 晶體面的方向:晶體由原子以規(guī)則間隔堆積而成。沿某個方向切割晶體時,原子在規(guī)則排列的晶體面上垂直方向排列的方向稱為晶體面的方向。
- 吞吐量(Throughput):單位時間內(nèi)處理的晶圓片數(shù)
制造技術(shù)將向監(jiān)視和綠色化發(fā)展
昌原氏表示:“未來,二維通道的新裝置將誕生。新裝置將需要監(jiān)視技術(shù)。在監(jiān)測氣體流動的同時,需要以較低的延遲準確切換氣體。此外,制造設(shè)備本身也將需要降低環(huán)境影響。
先端半導(dǎo)體研究中心也正在進行半導(dǎo)體工藝的綠色化和脫碳化項目。這樣,“新的環(huán)境和工廠指標將被需求。TSMC和Intel等制造先進半導(dǎo)體的公司也將提出新的環(huán)境指標。日本方面也需要提出新的指標。到目前為止,我們關(guān)注的是工廠整體消耗電力的二氧化碳排放量,但未來可能需要創(chuàng)造每個裝置的指標。我們計劃利用超級潔凈室和最小化工廠等,繼續(xù)推進。
也開始了對利用芯片板的先進封裝技術(shù)的研究
TSMC在產(chǎn)總研內(nèi)部擁有3D IC研究開發(fā)中心,但封裝技術(shù)將如何變化?與傳統(tǒng)的后工程不同,芯片板之間的連接線將變得更加精細,使用玻璃基板等材料制造,從而更接近前工程。產(chǎn)總研也加入了旨在標準化芯片板的UCIe(通用芯片板互連Express)組織,并與Intel、TSMC等海外快速決策企業(yè)保持合作,以保持同步。
產(chǎn)總研已經(jīng)開始制作從20/28nm到40nm、65nm、90nm等各種芯片板,并開始嘗試各種組合。如果提前準備好內(nèi)存和CPU,日本企業(yè)可以只開發(fā)AI加速器,從而更快地制作SoC(系統(tǒng)級芯片)。這個芯片板型定制SoC設(shè)計基礎(chǔ)技術(shù)正在構(gòu)建中,昌原氏表示:這是我們希望從產(chǎn)總研提出的。
國際協(xié)作從拉皮達斯公司開始已經(jīng)啟動了。“我們正在學(xué)習日本沒有的技術(shù),希望將日本的技術(shù)輸出到海外”,昌原先生滿懷期待地說。然而,在國際協(xié)作中如何處理知識產(chǎn)權(quán)等問題,也是國立研究所特有的問題,雖然并不容易,但在VLSI Symposium等國際會議上,也在與海外研究者進行草根層面的交流。展示了盡可能推進協(xié)作的態(tài)度。
PROFILE
昌原 明植(正原 明職)博士(工學(xué))
產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所 先端半導(dǎo)體研究中心 中心主任
| 1995年3月 |
早稻田大學(xué)研究生院理工學(xué)研究科博士課程畢業(yè) 廣島大學(xué)廣瀨CREST項目研究員 早大材料研究所講師 |
|---|---|
| 2002年 |
進入產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所 一直從事最先進CMOS技術(shù)的研究開發(fā) |
| 2005~2006年 | imec客座研究員 |
| 2006~2007年 | 經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省信息通信設(shè)備課 |
| 2023年10月~ |
先端半導(dǎo)體研究中心主任 明治大學(xué)客座教授 應(yīng)用物理學(xué)會理事 LSTC技術(shù)開發(fā)管理本部長 |
從產(chǎn)品選擇階段開始支持設(shè)備設(shè)計
- 專職工作人員將代替客戶選擇電動機。
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